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BSM180D12P2C101
| Fabricantes: | ROHM Semiconductor |
|---|---|
| Categoría de producto: | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
| Ficha técnica: | BSM180D12P2C101 |
| Descripción: | MOSFET 2N-CH 1200V 180A MODULE |
| Estado RoHS: | Compatible con RoHS |
| Atributo | Valor del atributo |
|---|---|
| Fabricante | ROHM Semiconductor |
| Categoría de producto | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
| Serie | - |
| Tipo FET | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| Empaquetado | Bulk |
| Característica FET | Silicon Carbide (SiC) |
| Estado de la pieza | Active |
| Potencia - Máx. | 1130W |
| Paquete / Caso | Module |
| Vgs(th) (Max) - Id | 4V @ 35.2mA |
| Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Rds On (Max) - Id, Vgs | - |
| Paquete de dispositivos de proveedores | Module |
| Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs | - |
| Drenaje a voltaje de origen (Vdss) | 1200V (1.2kV) |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds | 23000pF @ 10V |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC | 204A (Tc) |
En stock 21 pcs
| Precio de Refrence ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $410.07 | $401.87 | $393.83 |
Mínimo: 1
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