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ALD110900ASAL

Fabricantes: Advanced Linear Devices, Inc.
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Ficha técnica: ALD110900ASAL
Descripción: MOSFET 2N-CH 10.6V 8SOIC
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante Advanced Linear Devices, Inc.
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Serie EPAD®, Zero Threshold™
Tipo FET 2 N-Channel (Dual) Matched Pair
Empaquetado Tube
Característica FET Standard
Estado de la pieza Active
Potencia - Máx. 500mW
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Vgs(th) (Max) - Id 10mV @ 1µA
Temperatura de funcionamiento 0°C ~ 70°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 500Ohm @ 4V
Paquete de dispositivos de proveedores 8-SOIC
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs -
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 10.6V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 2.5pF @ 5V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC -

En stock 45 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$5.12 $5.02 $4.92
Mínimo: 1

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