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SISHA10DN-T1-GE3

Fabricantes: Vishay / Siliconix
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica: SISHA10DN-T1-GE3
Descripción: MOSFET N-CH 30V PP 1212-8
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante Vishay / Siliconix
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie TrenchFET® Gen IV
Tipo FET N-Channel
Empaquetado Digi-Reel®
Vgs (máx.) +20V, -16V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET -
Estado de la pieza Active
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso PowerPAK® 1212-8SH
Vgs(th) (Max) - Id 2.2V @ 250µA
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 3.7mOhm @ 10A, 10V
Disipación de energía (máx.) 3.6W (Ta), 39W (Tc)
Paquete de dispositivos de proveedores PowerPAK® 1212-8SH
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 51nC @ 10V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 2425pF @ 15V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 25A (Ta), 30A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V

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Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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