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NVMFD5C650NLWFT1G

Fabricantes: ON Semiconductor
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Ficha técnica: NVMFD5C650NLWFT1G
Descripción: MOSFET 2N-CH 60V 111A S08FL
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante ON Semiconductor
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Serie Automotive, AEC-Q101
Tipo FET 2 N-Channel (Dual)
Empaquetado Digi-Reel®
Característica FET Standard
Estado de la pieza Active
Potencia - Máx. 3.5W (Ta), 125W (Tc)
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso 8-PowerTDFN
Vgs(th) (Max) - Id 2.2V @ 98µA
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 4.2mOhm @ 20A, 10V
Paquete de dispositivos de proveedores 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 16nC @ 4.5V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 60V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 2546pF @ 25V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 21A (Ta), 111A (Tc)

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