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SI7252DP-T1-GE3

Fabricantes: Vishay / Siliconix
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Ficha técnica: SI7252DP-T1-GE3
Descripción: MOSFET 2N-CH 100V 36.7A PPAK 8SO
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante Vishay / Siliconix
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Serie TrenchFET®
Tipo FET 2 N-Channel (Dual)
Empaquetado Digi-Reel®
Característica FET Logic Level Gate
Estado de la pieza Active
Potencia - Máx. 46W
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso PowerPAK® SO-8 Dual
Número de pieza base SI7252
Vgs(th) (Max) - Id 3.5V @ 250µA
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 18mOhm @ 15A, 10V
Paquete de dispositivos de proveedores PowerPAK® SO-8 Dual
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 27nC @ 10V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 100V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 1170pF @ 50V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 36.7A

En stock 85 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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