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NVD5C688NLT4G

Fabricantes: ON Semiconductor
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica: NVD5C688NLT4G
Descripción: MOSFET N-CHANNEL 60V 17A DPAK
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante ON Semiconductor
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie Automotive, AEC-Q101
Tipo FET N-Channel
Empaquetado Cut Tape (CT)
Vgs (máx.) ±16V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET -
Estado de la pieza Active
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Vgs(th) (Max) - Id 2.1V @ 250µA
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 27.4mOhm @ 10A, 10V
Disipación de energía (máx.) 18W (Tc)
Paquete de dispositivos de proveedores DPAK
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 3.4nC @ 4.5V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 60V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 400pF @ 25V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 17A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V

En stock 1583 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.81 $0.79 $0.78
Mínimo: 1

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