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IPS70R600P7SAKMA1

Fabricantes:	Infineon Technologies
Categoría de producto:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica:	IPS70R600P7SAKMA1
Descripción:	MOSFET N-CH 700V 8.5A TO251
Estado RoHS:	Compatible con RoHS

Atributo	Valor del atributo
Fabricante	Infineon Technologies
Categoría de producto	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie	CoolMOS™ P7
Tipo FET	N-Channel
Empaquetado	Tube
Vgs (máx.)	±16V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET	-
Estado de la pieza	Active
Tipo de montaje	Through Hole
Paquete / Caso	TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Vgs(th) (Max) - Id	3.5V @ 90µA
Temperatura de funcionamiento	-40°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs	600mOhm @ 1.8A, 10V
Disipación de energía (máx.)	43W (Tc)
Paquete de dispositivos de proveedores	PG-TO251-3
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs	10.5nC @ 10V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss)	700V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds	364pF @ 400V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC	8.5A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On)	10V