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NTMSD3P102R2SG

Fabricantes: ON Semiconductor
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica: NTMSD3P102R2SG
Descripción: MOSFET P-CH 20V 2.34A 8-SOIC
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante ON Semiconductor
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie FETKY™
Tipo FET P-Channel
Empaquetado Tape & Reel (TR)
Vgs (máx.) ±20V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET Schottky Diode (Isolated)
Estado de la pieza Obsolete
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Vgs(th) (Max) - Id 2.5V @ 250µA
Temperatura de funcionamiento -
Rds On (Max) - Id, Vgs 85mOhm @ 3.05A, 10V
Disipación de energía (máx.) 730mW (Ta)
Paquete de dispositivos de proveedores 8-SOIC
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 25nC @ 10V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 750pF @ 16V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 2.34A (Ta)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V

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