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NTMSD2P102R2SG

Fabricantes: ON Semiconductor
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica: NTMSD2P102R2SG
Descripción: MOSFET P-CH 20V 2.3A 8-SOIC
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante ON Semiconductor
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie -
Tipo FET P-Channel
Empaquetado Tape & Reel (TR)
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET Schottky Diode (Isolated)
Estado de la pieza Obsolete
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Vgs(th) (Max) - Id -
Temperatura de funcionamiento -
Rds On (Max) - Id, Vgs 90mOhm @ 2.4A, 4.5V
Disipación de energía (máx.) -
Paquete de dispositivos de proveedores 8-SOIC
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 18nC @ 4.5V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 750pF @ 16V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 2.3A (Ta)

En stock 60 pcs

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