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NTMD6N02R2G

Fabricantes: ON Semiconductor
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Ficha técnica: NTMD6N02R2G
Descripción: MOSFET 2N-CH 20V 3.92A 8SO
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante ON Semiconductor
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Serie -
Tipo FET 2 N-Channel (Dual)
Empaquetado Digi-Reel®
Característica FET Logic Level Gate
Estado de la pieza Active
Potencia - Máx. 730mW
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Número de pieza base NTMD6N02
Vgs(th) (Max) - Id 1.2V @ 250µA
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 35mOhm @ 6A, 4.5V
Paquete de dispositivos de proveedores 8-SOIC
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 20nC @ 4.5V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 1100pF @ 16V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 3.92A

En stock 4948 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Mínimo: 1

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