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TSM6502CR RLG

Fabricantes: Taiwan Semiconductor Corporation
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Ficha técnica: TSM6502CR RLG
Descripción: MOSFET N/P-CH 60V 24A/18A 8PDFN
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante Taiwan Semiconductor Corporation
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Serie -
Tipo FET N and P-Channel
Empaquetado Digi-Reel®
Característica FET Standard
Estado de la pieza Active
Potencia - Máx. 40W
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso 8-PowerTDFN
Vgs(th) (Max) - Id 2.5V @ 250µA
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 34mOhm @ 5.4A, 10V, 68mOhm @ 4A, 10V
Paquete de dispositivos de proveedores 8-PDFN (5x6)
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 10.3nC @ 4.5V, 9.5nC @ 4.5V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 60V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 1159pF @ 30V, 930pF @ 30V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 24A (Tc), 18A (Tc)

En stock 2944 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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