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NTLJD3115PTAG

Fabricantes: ON Semiconductor
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Ficha técnica: NTLJD3115PTAG
Descripción: MOSFET 2P-CH 20V 2.3A 6-WDFN
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante ON Semiconductor
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Serie -
Tipo FET 2 P-Channel (Dual)
Empaquetado Tape & Reel (TR)
Característica FET Logic Level Gate
Estado de la pieza Obsolete
Potencia - Máx. 710mW
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso 6-WDFN Exposed Pad
Número de pieza base NTLJD3115P
Vgs(th) (Max) - Id 1V @ 250µA
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 100mOhm @ 2A, 4.5V
Paquete de dispositivos de proveedores 6-WDFN (2x2)
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 6.2nC @ 4.5V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 531pF @ 10V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 2.3A

En stock 79 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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