La imagen es sólo para referencia, consulte Especificaciones del producto
NTLJD2105LTBG
| Fabricantes: | ON Semiconductor |
|---|---|
| Categoría de producto: | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
| Ficha técnica: | NTLJD2105LTBG |
| Descripción: | MOSFET N/P-CH 8V 2.5A 6-WDFN |
| Estado RoHS: | Compatible con RoHS |
| Atributo | Valor del atributo |
|---|---|
| Fabricante | ON Semiconductor |
| Categoría de producto | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
| Serie | - |
| Tipo FET | N and P-Channel |
| Empaquetado | Tape & Reel (TR) |
| Característica FET | Standard |
| Estado de la pieza | Obsolete |
| Potencia - Máx. | 520mW |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete / Caso | 6-WDFN Exposed Pad |
| Vgs(th) (Max) - Id | 1V @ 250µA |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Rds On (Max) - Id, Vgs | 50mOhm @ 4A, 4.5V |
| Paquete de dispositivos de proveedores | 6-WDFN (2x2) |
| Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs | - |
| Drenaje a voltaje de origen (Vdss) | 8V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds | - |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC | 2.5A |
En stock 57 pcs
| Precio de Refrence ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $0.00 | $0.00 | $0.00 |
Mínimo: 1
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