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NTJS3151PT2G

Fabricantes: ON Semiconductor
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica: NTJS3151PT2G
Descripción: MOSFET P-CH 12V 2.7A SOT-363
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante ON Semiconductor
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie -
Tipo FET P-Channel
Empaquetado Tape & Reel (TR)
Vgs (máx.) ±12V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET -
Estado de la pieza Active
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Vgs(th) (Max) - Id 400mV @ 100µA
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 60mOhm @ 3.3A, 4.5V
Disipación de energía (máx.) 625mW (Ta)
Paquete de dispositivos de proveedores SC-88/SC70-6/SOT-363
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 8.6nC @ 4.5V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 12V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 850pF @ 12V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 2.7A (Ta)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4.5V

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