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ZXMN2F30FHQTA

Fabricantes:	Diodes Incorporated
Categoría de producto:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica:	ZXMN2F30FHQTA
Descripción:	MOSFET N-CH 20V 4.9A SOT23-3
Estado RoHS:	Compatible con RoHS

Atributo	Valor del atributo
Fabricante	Diodes Incorporated
Categoría de producto	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie	Automotive, AEC-Q101
Tipo FET	N-Channel
Empaquetado	Tape & Reel (TR)
Vgs (máx.)	±12V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET	-
Estado de la pieza	Active
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete / Caso	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Vgs(th) (Max) - Id	1.5V @ 250µA
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs	45mOhm @ 2.5A, 4.5V
Disipación de energía (máx.)	1.4W
Paquete de dispositivos de proveedores	SOT-23-3
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs	4.8nC @ 10V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss)	20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds	452pF @ 10V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC	4.9A (Ta)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On)	2.5V, 4.5V