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NTD3813N-1G

Fabricantes: ON Semiconductor
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica: NTD3813N-1G
Descripción: MOSFET N-CH 16V 9.6A IPAK
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante ON Semiconductor
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie -
Tipo FET N-Channel
Empaquetado Tube
Vgs (máx.) ±16V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET -
Estado de la pieza Obsolete
Tipo de montaje Through Hole
Paquete / Caso TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Vgs(th) (Max) - Id 2.5V @ 250µA
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 8.75mOhm @ 15A, 10V
Disipación de energía (máx.) 1.2W (Ta), 34.9W (Tc)
Paquete de dispositivos de proveedores I-PAK
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 12.8nC @ 4.5V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 16V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 963pF @ 12V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 9.6A (Ta), 51A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V

En stock 72 pcs

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