NTD3808N-1G
Fabricantes: | ON Semiconductor |
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Categoría de producto: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Ficha técnica: | NTD3808N-1G |
Descripción: | MOSFET N-CH 16V 12A IPAK |
Estado RoHS: | Compatible con RoHS |
Atributo | Valor del atributo |
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Fabricante | ON Semiconductor |
Categoría de producto | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Serie | - |
Tipo FET | N-Channel |
Empaquetado | Tube |
Vgs (máx.) | ±16V |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Característica FET | - |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caso | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
Vgs(th) (Max) - Id | 2.5V @ 250µA |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Rds On (Max) - Id, Vgs | 5.8mOhm @ 15A, 10V |
Disipación de energía (máx.) | 1.3W (Ta), 52W (Tc) |
Paquete de dispositivos de proveedores | I-PAK |
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs | 21nC @ 4.5V |
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) | 16V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds | 1660pF @ 12V |
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC | 12A (Ta), 76A (Tc) |
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
En stock 69 pcs
Precio de Refrence ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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$0.00 | $0.00 | $0.00 |
Mínimo: 1