NSBC114EPDP6T5G
Fabricantes: | ON Semiconductor |
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Categoría de producto: | Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased |
Ficha técnica: | NSBC114EPDP6T5G |
Descripción: | TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT963 |
Estado RoHS: | Compatible con RoHS |
Atributo | Valor del atributo |
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Fabricante | ON Semiconductor |
Categoría de producto | Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased |
Serie | - |
Empaquetado | Digi-Reel® |
Estado de la pieza | Active |
Potencia - Máx. | 339mW |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caso | SOT-963 |
Tipo de transistor | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) |
Número de pieza base | NSBC1* |
Resistencia - Base (R1) | 10kOhms |
Frecuencia - Transición | - |
Paquete de dispositivos de proveedores | SOT-963 |
Resistencia - Base emisora (R2) | 10kOhms |
Vce Saturation (Max) - Ib, Ic | 250mV @ 300µA, 10mA |
Corriente - Colector (Ic) (máx.) | 100mA |
Corriente - Corte del colector (máx.) | 500nA |
Ganancia de corriente continua (hFE) (min) - Ic, Vce | 35 @ 5mA, 10V |
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.) | 50V |
En stock 6890 pcs
Precio de Refrence ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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Mínimo: 1