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NSBC114EPDP6T5G

Fabricantes: ON Semiconductor
Categoría de producto: Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased
Ficha técnica: NSBC114EPDP6T5G
Descripción: TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT963
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante ON Semiconductor
Categoría de producto Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased
Serie -
Empaquetado Digi-Reel®
Estado de la pieza Active
Potencia - Máx. 339mW
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso SOT-963
Tipo de transistor 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Número de pieza base NSBC1*
Resistencia - Base (R1) 10kOhms
Frecuencia - Transición -
Paquete de dispositivos de proveedores SOT-963
Resistencia - Base emisora (R2) 10kOhms
Vce Saturation (Max) - Ib, Ic 250mV @ 300µA, 10mA
Corriente - Colector (Ic) (máx.) 100mA
Corriente - Corte del colector (máx.) 500nA
Ganancia de corriente continua (hFE) (min) - Ic, Vce 35 @ 5mA, 10V
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.) 50V

En stock 6890 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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