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UMG3NTR

Fabricantes:	ROHM Semiconductor
Categoría de producto:	Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased
Ficha técnica:	UMG3NTR
Descripción:	TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W UMT5
Estado RoHS:	Compatible con RoHS

Atributo	Valor del atributo
Fabricante	ROHM Semiconductor
Categoría de producto	Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased
Serie	-
Empaquetado	Tape & Reel (TR)
Estado de la pieza	Active
Potencia - Máx.	150mW
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete / Caso	5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Tipo de transistor	2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Número de pieza base	*MG3
Resistencia - Base (R1)	4.7kOhms
Frecuencia - Transición	250MHz
Paquete de dispositivos de proveedores	UMT5
Resistencia - Base emisora (R2)	-
Vce Saturation (Max) - Ib, Ic	150mV @ 250µA, 5mA
Corriente - Colector (Ic) (máx.)	100mA
Corriente - Corte del colector (máx.)	-
Ganancia de corriente continua (hFE) (min) - Ic, Vce	100 @ 1mA, 5V
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.)	50V