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NGTB50N120FL2WG

Fabricantes: ON Semiconductor
Categoría de producto: Transistors - IGBTs - Single
Ficha técnica: NGTB50N120FL2WG
Descripción: IGBT 1200V 100A 535W TO247
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante ON Semiconductor
Categoría de producto Transistors - IGBTs - Single
Serie -
Tipo IGBT Trench Field Stop
Empaquetado Tube
Tipo de entrada Standard
Carga de la puerta 311nC
Estado de la pieza Active
Potencia - Máx. 535W
Tipo de montaje Through Hole
Paquete / Caso TO-247-3
Condición de la prueba 600V, 50A, 10Ohm, 15V
Cambio de energía 4.4mJ (on), 1.4mJ (off)
Td (encendido/apagado) a 25oC 118ns/282ns
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
Paquete de dispositivos de proveedores TO-247
Vce(on) (Max) á Vge, Ic 2.2V @ 15V, 50A
Tiempo de recuperación inversa (trr) 256ns
Corriente - Colector (Ic) (máx.) 100A
Corriente - Colector Pulsado (Icm) 200A
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.) 1200V

En stock 72 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Mínimo: 1

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