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FGA25N120ANTDTU-F109

Fabricantes: ON Semiconductor
Categoría de producto: Transistors - IGBTs - Single
Ficha técnica: FGA25N120ANTDTU-F109
Descripción: IGBT 1200V 50A 312W TO3P
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante ON Semiconductor
Categoría de producto Transistors - IGBTs - Single
Serie -
Tipo IGBT NPT and Trench
Empaquetado Tube
Tipo de entrada Standard
Carga de la puerta 200nC
Estado de la pieza Active
Potencia - Máx. 312W
Tipo de montaje Through Hole
Paquete / Caso TO-3P-3, SC-65-3
Condición de la prueba 600V, 25A, 10Ohm, 15V
Número de pieza base FGA25N120A
Cambio de energía 4.1mJ (on), 960µJ (off)
Td (encendido/apagado) a 25oC 50ns/190ns
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Paquete de dispositivos de proveedores TO-3P
Vce(on) (Max) á Vge, Ic 2.65V @ 15V, 50A
Tiempo de recuperación inversa (trr) 350ns
Corriente - Colector (Ic) (máx.) 50A
Corriente - Colector Pulsado (Icm) 90A
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.) 1200V

En stock 71 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$3.11 $3.05 $2.99
Mínimo: 1

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