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MJD117-1G

Fabricantes: ON Semiconductor
Categoría de producto: Transistors - Bipolar (BJT) - Single
Ficha técnica: MJD117-1G
Descripción: TRANS PNP DARL 100V 2A IPAK
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante ON Semiconductor
Categoría de producto Transistors - Bipolar (BJT) - Single
Serie -
Empaquetado Tube
Estado de la pieza Active
Potencia - Máx. 1.75W
Tipo de montaje Through Hole
Paquete / Caso TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Tipo de transistor PNP - Darlington
Número de pieza base MJD117
Temperatura de funcionamiento -65°C ~ 150°C (TJ)
Frecuencia - Transición 25MHz
Paquete de dispositivos de proveedores I-PAK
Vce Saturation (Max) - Ib, Ic 3V @ 40mA, 4A
Corriente - Colector (Ic) (máx.) 2A
Corriente - Corte del colector (máx.) 20µA
Ganancia de corriente continua (hFE) (min) - Ic, Vce 1000 @ 2A, 3V
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.) 100V

En stock 1548 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Mínimo: 1

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