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MJD112-1G
| Fabricantes: | ON Semiconductor |
|---|---|
| Categoría de producto: | Transistors - Bipolar (BJT) - Single |
| Ficha técnica: | MJD112-1G |
| Descripción: | TRANS NPN DARL 100V 2A IPAK |
| Estado RoHS: | Compatible con RoHS |
| Atributo | Valor del atributo |
|---|---|
| Fabricante | ON Semiconductor |
| Categoría de producto | Transistors - Bipolar (BJT) - Single |
| Serie | - |
| Empaquetado | Tube |
| Estado de la pieza | Active |
| Potencia - Máx. | 1.75W |
| Tipo de montaje | Through Hole |
| Paquete / Caso | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| Tipo de transistor | NPN - Darlington |
| Número de pieza base | MJD112 |
| Temperatura de funcionamiento | -65°C ~ 150°C (TJ) |
| Frecuencia - Transición | 25MHz |
| Paquete de dispositivos de proveedores | I-PAK |
| Vce Saturation (Max) - Ib, Ic | 3V @ 40mA, 4A |
| Corriente - Colector (Ic) (máx.) | 2A |
| Corriente - Corte del colector (máx.) | 20µA |
| Ganancia de corriente continua (hFE) (min) - Ic, Vce | 1000 @ 2A, 3V |
| Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.) | 100V |
En stock 4392 pcs
| Precio de Refrence ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $0.68 | $0.67 | $0.65 |
Mínimo: 1
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