FQA8N80C_F109
Fabricantes: | ON Semiconductor |
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Categoría de producto: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Ficha técnica: | FQA8N80C_F109 |
Descripción: | MOSFET N-CH 800V 8.4A TO-3P |
Estado RoHS: | Compatible con RoHS |
Atributo | Valor del atributo |
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Fabricante | ON Semiconductor |
Categoría de producto | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Serie | QFET® |
Tipo FET | N-Channel |
Empaquetado | Tube |
Vgs (máx.) | ±30V |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Característica FET | - |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caso | TO-3P-3, SC-65-3 |
Vgs(th) (Max) - Id | 5V @ 250µA |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Rds On (Max) - Id, Vgs | 1.55Ohm @ 4.2A, 10V |
Disipación de energía (máx.) | 220W (Tc) |
Paquete de dispositivos de proveedores | TO-3P |
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs | 45nC @ 10V |
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) | 800V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds | 2050pF @ 25V |
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC | 8.4A (Tc) |
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
En stock 69 pcs
Precio de Refrence ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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$0.00 | $0.00 | $0.00 |
Mínimo: 1