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FQA6N80_F109

Fabricantes: ON Semiconductor
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica: FQA6N80_F109
Descripción: MOSFET N-CH 800V 6.3A TO-3P
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante ON Semiconductor
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie QFET®
Tipo FET N-Channel
Empaquetado Tube
Vgs (máx.) ±30V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET -
Estado de la pieza Obsolete
Tipo de montaje Through Hole
Paquete / Caso TO-3P-3, SC-65-3
Vgs(th) (Max) - Id 5V @ 250µA
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 1.95Ohm @ 3.15A, 10V
Disipación de energía (máx.) 185W (Tc)
Paquete de dispositivos de proveedores TO-3P
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 31nC @ 10V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 800V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 1500pF @ 25V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 6.3A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) 10V

En stock 93 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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