La imagen es sólo para referencia, consulte Especificaciones del producto
FDMS3669S
| Fabricantes: | ON Semiconductor |
|---|---|
| Categoría de producto: | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
| Ficha técnica: | FDMS3669S |
| Descripción: | MOSFET 2N-CH 30V 13A/18A PWR56 |
| Estado RoHS: | Compatible con RoHS |
| Atributo | Valor del atributo |
|---|---|
| Fabricante | ON Semiconductor |
| Categoría de producto | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
| Serie | PowerTrench® |
| Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical |
| Empaquetado | Cut Tape (CT) |
| Característica FET | Logic Level Gate |
| Estado de la pieza | Active |
| Potencia - Máx. | 1W |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete / Caso | 8-PowerTDFN |
| Vgs(th) (Max) - Id | 2.7V @ 250µA |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Rds On (Max) - Id, Vgs | 10mOhm @ 13A, 10V |
| Paquete de dispositivos de proveedores | Power56 |
| Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs | 24nC @ 10V |
| Drenaje a voltaje de origen (Vdss) | 30V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds | 1605pF @ 15V |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC | 13A, 18A |
En stock 72 pcs
| Precio de Refrence ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $0.97 | $0.95 | $0.93 |
Mínimo: 1
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