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SQS966ENW-T1_GE3

Fabricantes:	Vishay / Siliconix
Categoría de producto:	Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Ficha técnica:	SQS966ENW-T1_GE3
Descripción:	MOSFET N-CHAN 60V
Estado RoHS:	Compatible con RoHS

Atributo	Valor del atributo
Fabricante	Vishay / Siliconix
Categoría de producto	Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Serie	Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Tipo FET	2 N-Channel (Dual)
Empaquetado	Tape & Reel (TR)
Característica FET	Standard
Estado de la pieza	Active
Potencia - Máx.	27.8W (Tc)
Tipo de montaje	Surface Mount, Wettable Flank
Paquete / Caso	PowerPAK® 1212-8W Dual
Vgs(th) (Max) - Id	2.5V @ 250µA
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs	36mOhm @ 1.25A, 10V
Paquete de dispositivos de proveedores	PowerPAK® 1212-8W Dual
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs	8.8nC @ 10V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss)	60V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds	572pF @ 25V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC	6A (Tc)