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FDMC8200S_F106

Fabricantes: ON Semiconductor
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Ficha técnica: FDMC8200S_F106
Descripción: MOSFET 2N-CH 30V 6A/8.5A 8MLP
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante ON Semiconductor
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Serie PowerTrench®
Tipo FET 2 N-Channel (Dual)
Empaquetado Digi-Reel®
Característica FET Logic Level Gate
Estado de la pieza Discontinued at Digi-Key
Potencia - Máx. 700mW, 1W
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso 8-PowerWDFN
Vgs(th) (Max) - Id 3V @ 250µA
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 20mOhm @ 6A, 10V
Paquete de dispositivos de proveedores 8-Power33 (3x3)
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 10nC @ 10V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 660pF @ 15V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 6A, 8.5A

En stock 91 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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