La imagen es sólo para referencia, consulte Especificaciones del producto

FDMS3660AS

Fabricantes: ON Semiconductor
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Ficha técnica: FDMS3660AS
Descripción: MOSFET 2N-CH 30V 13A/30A 8QFN
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante ON Semiconductor
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Serie PowerTrench®
Tipo FET 2 N-Channel (Dual)
Empaquetado Digi-Reel®
Característica FET Logic Level Gate
Estado de la pieza Active
Potencia - Máx. 1W
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso 8-PowerTDFN
Vgs(th) (Max) - Id 2.7V @ 250µA
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 8mOhm @ 13A, 10V
Paquete de dispositivos de proveedores Power56
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 30nC @ 10V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 2230pF @ 15V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 13A, 30A

En stock 1508 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.00 $0.00 $0.00
Mínimo: 1

Solicitar presupuesto

Rellene el siguiente formulario y nos ponemos en contacto con usted lo antes posible

Bargain Finds

FDS8984-F085
ON Semiconductor
$0
SI7923DN-T1-GE3
Vishay / Siliconix
$0
SI7980DP-T1-GE3
Vishay / Siliconix
$0
FDS3992
ON Semiconductor
$0
SI7923DN-T1-E3
Vishay / Siliconix
$0