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SI7980DP-T1-GE3

Fabricantes: Vishay / Siliconix
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Ficha técnica: SI7980DP-T1-GE3
Descripción: MOSFET 2N-CH 20V 8A PPAK SO-8
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante Vishay / Siliconix
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Serie TrenchFET®
Tipo FET 2 N-Channel (Half Bridge)
Empaquetado Digi-Reel®
Característica FET Standard
Estado de la pieza Obsolete
Potencia - Máx. 19.8W, 21.9W
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso PowerPAK® SO-8 Dual
Número de pieza base SI7980
Vgs(th) (Max) - Id 2.5V @ 250µA
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 22mOhm @ 5A, 10V
Paquete de dispositivos de proveedores PowerPAK® SO-8 Dual
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 27nC @ 10V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 1010pF @ 10V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 8A

En stock 2304 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Mínimo: 1

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