La imagen es sólo para referencia, consulte Especificaciones del producto

FDME910PZT

Fabricantes: ON Semiconductor
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica: FDME910PZT
Descripción: MOSFET P CH 20V 8A MICROFET
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante ON Semiconductor
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie PowerTrench®
Tipo FET P-Channel
Empaquetado Digi-Reel®
Vgs (máx.) ±8V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET -
Estado de la pieza Active
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso 6-PowerUFDFN
Vgs(th) (Max) - Id 1.5V @ 250µA
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 24mOhm @ 8A, 4.5V
Disipación de energía (máx.) 2.1W (Ta)
Paquete de dispositivos de proveedores MicroFet 1.6x1.6 Thin
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 21nC @ 4.5V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 2110pF @ 10V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 8A (Ta)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4.5V

En stock 5098 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.00 $0.00 $0.00
Mínimo: 1

Solicitar presupuesto

Rellene el siguiente formulario y nos ponemos en contacto con usted lo antes posible

Bargain Finds

FDD3N40TM
ON Semiconductor
$0
NTMFS4841NHT1G
ON Semiconductor
$0
TSM4NB60CP ROG
Taiwan Semiconductor Corporation
$0.8
FDC2612
ON Semiconductor
$0.8
FQT1N80TF-WS
ON Semiconductor
$0