La imagen es sólo para referencia, consulte Especificaciones del producto

FDC2612

Fabricantes: ON Semiconductor
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica: FDC2612
Descripción: MOSFET N-CH 200V 1.1A SSOT-6
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante ON Semiconductor
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie PowerTrench®
Tipo FET N-Channel
Empaquetado Cut Tape (CT)
Vgs (máx.) ±20V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET -
Estado de la pieza Active
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Vgs(th) (Max) - Id 4.5V @ 250µA
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 725mOhm @ 1.1A, 10V
Disipación de energía (máx.) 1.6W (Ta)
Paquete de dispositivos de proveedores SuperSOT™-6
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 11nC @ 10V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 200V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 234pF @ 100V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 1.1A (Ta)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) 10V

En stock 2849 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.80 $0.78 $0.77
Mínimo: 1

Solicitar presupuesto

Rellene el siguiente formulario y nos ponemos en contacto con usted lo antes posible

Bargain Finds

FQT1N80TF-WS
ON Semiconductor
$0
SI3457DV
ON Semiconductor
$0.79
SQS840EN-T1_GE3
Vishay / Siliconix
$0
NTD20P06LT4G
ON Semiconductor
$0
SI8439DB-T1-E1
Vishay / Siliconix
$0