Image is for reference only , details as Specifications

FDD6635

Fabricantes: ON Semiconductor
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica: FDD6635
Descripción: MOSFET N-CH 35V 15A DPAK
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante ON Semiconductor
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie PowerTrench®
Tipo FET N-Channel
Empaquetado Cut Tape (CT)
Vgs (máx.) ±20V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET -
Estado de la pieza Active
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Vgs(th) (Max) - Id 3V @ 250µA
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 10mOhm @ 15A, 10V
Disipación de energía (máx.) 3.8W (Ta), 55W (Tc)
Paquete de dispositivos de proveedores D-PAK (TO-252)
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 36nC @ 10V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 35V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 1400pF @ 20V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 15A (Ta), 59A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V

En stock 15995 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$1.31 $1.28 $1.26
Mínimo: 1

Solicitar presupuesto

Rellene el siguiente formulario y nos ponemos en contacto con usted lo antes posible

Bargain Finds

TK7S10N1Z,LQ
Toshiba Semiconductor and Storage
$0
NTMFS4845NT1G
ON Semiconductor
$0.56
SI9407BDY-T1-E3
Vishay / Siliconix
$0
BSZ019N03LSATMA1
Infineon Technologies
$1.53