La imagen es sólo para referencia, consulte Especificaciones del producto

BSZ019N03LSATMA1

Fabricantes: Infineon Technologies
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica: BSZ019N03LSATMA1
Descripción: MOSFET N-CH 30V 22A TSDSON-8
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante Infineon Technologies
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie OptiMOS™
Tipo FET N-Channel
Empaquetado Cut Tape (CT)
Vgs (máx.) ±20V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET -
Estado de la pieza Active
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso 8-PowerTDFN
Vgs(th) (Max) - Id 2V @ 250µA
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 1.9mOhm @ 20A, 10V
Disipación de energía (máx.) 2.1W (Ta), 69W (Tc)
Paquete de dispositivos de proveedores PG-TSDSON-8-FL
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 44nC @ 10V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 2800pF @ 15V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 22A (Ta). 40A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V

En stock 14861 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$1.53 $1.50 $1.47
Mínimo: 1

Solicitar presupuesto

Rellene el siguiente formulario y nos ponemos en contacto con usted lo antes posible

Bargain Finds

IRFR3411TRPBF
Infineon Technologies
$1.51
BUK9Y4R8-60E,115
Nexperia USA Inc.
$0
SI4455DY-T1-GE3
Vishay / Siliconix
$0
SI6415DQ-T1-E3
Vishay / Siliconix
$0.7