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FDD10AN06A0-F085

Fabricantes: ON Semiconductor
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica: FDD10AN06A0-F085
Descripción: MOSFET N-CH 60V 11A D-PAK
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante ON Semiconductor
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®
Tipo FET N-Channel
Empaquetado Digi-Reel®
Vgs (máx.) ±20V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET -
Estado de la pieza Active
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Vgs(th) (Max) - Id 4V @ 250µA
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 10.5mOhm @ 50A, 10V
Disipación de energía (máx.) 135W (Tc)
Paquete de dispositivos de proveedores TO-252AA
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 37nC @ 10V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 60V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 1840pF @ 25V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 11A (Ta)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) 10V

En stock 2301 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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