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RUS100N02TB

Fabricantes: ROHM Semiconductor
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica: RUS100N02TB
Descripción: MOSFET N-CH 20V 10A 8SOP
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante ROHM Semiconductor
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie -
Tipo FET N-Channel
Empaquetado Digi-Reel®
Vgs (máx.) ±10V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET -
Estado de la pieza Not For New Designs
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Vgs(th) (Max) - Id 1V @ 1mA
Temperatura de funcionamiento 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 12mOhm @ 10A, 4.5V
Disipación de energía (máx.) 2W (Ta)
Paquete de dispositivos de proveedores 8-SOP
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 24nC @ 4.5V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 2250pF @ 10V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 10A (Ta)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) 1.5V, 4.5V

En stock 1513 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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