FDC658P
Fabricantes: | ON Semiconductor |
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Categoría de producto: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Ficha técnica: | FDC658P |
Descripción: | MOSFET P-CH 30V 4A SSOT-6 |
Estado RoHS: | Compatible con RoHS |
Atributo | Valor del atributo |
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Fabricante | ON Semiconductor |
Categoría de producto | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Serie | PowerTrench® |
Tipo FET | P-Channel |
Empaquetado | Cut Tape (CT) |
Vgs (máx.) | ±20V |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Característica FET | - |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caso | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
Vgs(th) (Max) - Id | 3V @ 250µA |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Rds On (Max) - Id, Vgs | 50mOhm @ 4A, 10V |
Disipación de energía (máx.) | 1.6W (Ta) |
Paquete de dispositivos de proveedores | SuperSOT™-6 |
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs | 12nC @ 5V |
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) | 30V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds | 750pF @ 15V |
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC | 4A (Ta) |
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
En stock 2 pcs
Precio de Refrence ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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$0.59 | $0.58 | $0.57 |
Mínimo: 1