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IPN60R2K1CEATMA1

Fabricantes: Infineon Technologies
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica: IPN60R2K1CEATMA1
Descripción: MOSFET NCH 600V 3.7A SOT223
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante Infineon Technologies
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie CoolMOS™
Tipo FET N-Channel
Empaquetado Digi-Reel®
Vgs (máx.) ±20V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET Super Junction
Estado de la pieza Active
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso SOT-223-3
Vgs(th) (Max) - Id 3.5V @ 60µA
Temperatura de funcionamiento -40°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 2.1Ohm @ 800mA, 10V
Disipación de energía (máx.) 5W (Tc)
Paquete de dispositivos de proveedores PG-SOT223
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 6.7nC @ 10V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 600V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 140pF @ 100V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 3.7A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) 10V

En stock 10 pcs

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