La imagen es sólo para referencia, consulte Especificaciones del producto
FDC6561AN
| Fabricantes: | ON Semiconductor |
|---|---|
| Categoría de producto: | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
| Ficha técnica: | FDC6561AN |
| Descripción: | MOSFET 2N-CH 30V 2.5A SSOT6 |
| Estado RoHS: | Compatible con RoHS |
| Atributo | Valor del atributo |
|---|---|
| Fabricante | ON Semiconductor |
| Categoría de producto | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
| Serie | PowerTrench® |
| Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
| Empaquetado | Digi-Reel® |
| Característica FET | Logic Level Gate |
| Estado de la pieza | Active |
| Potencia - Máx. | 700mW |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete / Caso | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| Vgs(th) (Max) - Id | 3V @ 250µA |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Rds On (Max) - Id, Vgs | 95mOhm @ 2.5A, 10V |
| Paquete de dispositivos de proveedores | SuperSOT™-6 |
| Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs | 3.2nC @ 5V |
| Drenaje a voltaje de origen (Vdss) | 30V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds | 220pF @ 15V |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC | 2.5A |
En stock 27681 pcs
| Precio de Refrence ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $0.00 | $0.00 | $0.00 |
Mínimo: 1
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