PMDXB600UNEZ
Fabricantes: | Nexperia USA Inc. |
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Categoría de producto: | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
Ficha técnica: | PMDXB600UNEZ |
Descripción: | MOSFET 2N-CH 20V 0.6A 6DFN |
Estado RoHS: | Compatible con RoHS |
Atributo | Valor del atributo |
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Fabricante | Nexperia USA Inc. |
Categoría de producto | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
Serie | TrenchFET® |
Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
Empaquetado | Digi-Reel® |
Característica FET | Logic Level Gate |
Estado de la pieza | Active |
Potencia - Máx. | 265mW |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caso | 6-XFDFN Exposed Pad |
Vgs(th) (Max) - Id | 950mV @ 250µA |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Rds On (Max) - Id, Vgs | 620mOhm @ 600mA, 4.5V |
Paquete de dispositivos de proveedores | DFN1010B-6 |
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs | 0.7nC @ 4.5V |
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) | 20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds | 21.3pF @ 10V |
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC | 600mA |
En stock 21178 pcs
Precio de Refrence ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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$0.00 | $0.00 | $0.00 |
Mínimo: 1