La imagen es sólo para referencia, consulte Especificaciones del producto

FCP25N60N-F102

Fabricantes: ON Semiconductor
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica: FCP25N60N-F102
Descripción: MOSFET N-CH 600V 25A TO220-3
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante ON Semiconductor
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie SupreMOS™
Tipo FET N-Channel
Empaquetado Tube
Vgs (máx.) ±30V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET -
Estado de la pieza Active
Tipo de montaje Through Hole
Paquete / Caso TO-220-3
Vgs(th) (Max) - Id 4V @ 250µA
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 125mOhm @ 12.5A, 10V
Disipación de energía (máx.) 216W (Tc)
Paquete de dispositivos de proveedores TO-220-3
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 74nC @ 10V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 600V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 3352pF @ 100V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 25A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) 10V

En stock 87 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$3.26 $3.19 $3.13
Mínimo: 1

Solicitar presupuesto

Rellene el siguiente formulario y nos ponemos en contacto con usted lo antes posible

Bargain Finds

SIHF16N50C-E3
Vishay / Siliconix
$3.25
2SK1317-E
Renesas Electronics America
$3.24
IPP60R105CFD7XKSA1
Infineon Technologies
$3.23
TK12A60W,S4VX
Toshiba Semiconductor and Storage
$3.22
IXTP140N055T2
IXYS
$3.22