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TK12A60W,S4VX

Fabricantes:	Toshiba Semiconductor and Storage
Categoría de producto:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica:	TK12A60W,S4VX
Descripción:	MOSFET N CH 600V 11.5A TO-220SIS
Estado RoHS:	Compatible con RoHS

Atributo	Valor del atributo
Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Categoría de producto	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie	DTMOSIV
Tipo FET	N-Channel
Empaquetado	Tube
Vgs (máx.)	±30V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET	Super Junction
Estado de la pieza	Active
Tipo de montaje	Through Hole
Paquete / Caso	TO-220-3 Full Pack
Vgs(th) (Max) - Id	3.7V @ 600µA
Temperatura de funcionamiento	150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs	300mOhm @ 5.8A, 10V
Disipación de energía (máx.)	35W (Tc)
Paquete de dispositivos de proveedores	TO-220SIS
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs	25nC @ 10V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss)	600V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds	890pF @ 300V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC	11.5A (Ta)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On)	10V