La imagen es sólo para referencia, consulte Especificaciones del producto

FCD7N60TM-WS

Fabricantes: ON Semiconductor
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica: FCD7N60TM-WS
Descripción: MOSFET N-CH 600V 7A DPAK
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante ON Semiconductor
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie SuperFET™
Tipo FET N-Channel
Empaquetado Digi-Reel®
Vgs (máx.) ±30V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET -
Estado de la pieza Active
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Número de pieza base FCD7N60
Vgs(th) (Max) - Id 5V @ 250µA
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 600mOhm @ 3.5A, 10V
Disipación de energía (máx.) 83W (Tc)
Paquete de dispositivos de proveedores D-Pak
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 30nC @ 10V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 600V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 920pF @ 25V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 7A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) 10V

En stock 1676 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.00 $0.00 $0.00
Mínimo: 1

Solicitar presupuesto

Rellene el siguiente formulario y nos ponemos en contacto con usted lo antes posible

Bargain Finds

NTD110N02RT4G
ON Semiconductor
$0
FDD86369
ON Semiconductor
$0
IRFR9310TRLPBF
Vishay / Siliconix
$0
SI7686DP-T1-GE3
Vishay / Siliconix
$0
TPN2010FNH,L1Q
Toshiba Semiconductor and Storage
$0