Image is for reference only , details as Specifications
TPN2010FNH,L1Q
| Fabricantes: | Toshiba Semiconductor and Storage |
|---|---|
| Categoría de producto: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Ficha técnica: | TPN2010FNH,L1Q |
| Descripción: | MOSFET N-CH 250V 5.6A 8TSON |
| Estado RoHS: | Compatible con RoHS |
| Atributo | Valor del atributo |
|---|---|
| Fabricante | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Categoría de producto | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Serie | U-MOSVIII-H |
| Tipo FET | N-Channel |
| Empaquetado | Digi-Reel® |
| Vgs (máx.) | ±20V |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Característica FET | - |
| Estado de la pieza | Active |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete / Caso | 8-PowerVDFN |
| Vgs(th) (Max) - Id | 4V @ 200µA |
| Temperatura de funcionamiento | 150°C (TJ) |
| Rds On (Max) - Id, Vgs | 198mOhm @ 2.8A, 10V |
| Disipación de energía (máx.) | 700mW (Ta), 39W (Tc) |
| Paquete de dispositivos de proveedores | 8-TSON Advance (3.3x3.3) |
| Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs | 7nC @ 10V |
| Drenaje a voltaje de origen (Vdss) | 250V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds | 600pF @ 100V |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC | 5.6A (Ta) |
| Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
En stock 4580 pcs
| Precio de Refrence ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $0.00 | $0.00 | $0.00 |
Mínimo: 1
Solicitar presupuesto
Rellene el siguiente formulario y nos ponemos en contacto con usted lo antes posible
Bargain Finds
