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PSMN8R5-100ESFQ

Fabricantes:	Nexperia USA Inc.
Categoría de producto:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica:	PSMN8R5-100ESFQ
Descripción:	MOSFET N-CHANNEL 100V 97A I2PAK
Estado RoHS:	Compatible con RoHS

Atributo	Valor del atributo
Fabricante	Nexperia USA Inc.
Categoría de producto	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie	-
Tipo FET	N-Channel
Empaquetado	Tube
Vgs (máx.)	±20V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET	-
Estado de la pieza	Active
Tipo de montaje	Through Hole
Paquete / Caso	TO-220-3, Short Tab
Vgs(th) (Max) - Id	4V @ 1mA
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs	8.8mOhm @ 25A, 10V
Disipación de energía (máx.)	183W (Ta)
Paquete de dispositivos de proveedores	I2PAK
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs	44.5nC @ 10V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss)	100V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds	3181pF @ 50V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC	97A (Ta)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On)	7V, 10V