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DMJ70H1D3SJ3

Fabricantes: Diodes Incorporated
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica: DMJ70H1D3SJ3
Descripción: MOSFET N-CH TO251
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante Diodes Incorporated
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie -
Tipo FET N-Channel
Empaquetado Tube
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET -
Estado de la pieza Active
Tipo de montaje Through Hole
Paquete / Caso TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Vgs(th) (Max) - Id 4V @ 250µA
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 155°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 1.3Ohm @ 2.5A, 10V
Disipación de energía (máx.) 41W (Tc)
Paquete de dispositivos de proveedores TO-251
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 13.9nC @ 10V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 700V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 351pF @ 50V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 4.6A (Tc)

En stock 97 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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