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PMPB215ENEA/FX

Fabricantes:	Nexperia USA Inc.
Categoría de producto:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica:	PMPB215ENEA/FX
Descripción:	MOSFET N-CH 80V 2.8A 6DFN2020MD
Estado RoHS:	Compatible con RoHS

Atributo	Valor del atributo
Fabricante	Nexperia USA Inc.
Categoría de producto	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie	Automotive, AEC-Q101
Tipo FET	N-Channel
Vgs (máx.)	±20V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET	-
Estado de la pieza	Active
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete / Caso	6-UDFN Exposed Pad
Vgs(th) (Max) - Id	2.7V @ 250µA
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs	230mOhm @ 1.9A, 10V
Disipación de energía (máx.)	1.6W (Ta)
Paquete de dispositivos de proveedores	6-DFN2020MD (2x2)
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs	7.2nC @ 10V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss)	80V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds	215pF @ 40V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC	2.8A (Ta)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V