La imagen es sólo para referencia, consulte Especificaciones del producto

CSD13302WT

Fabricantes:	NA
Categoría de producto:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica:	CSD13302WT
Descripción:	MOSFET N-CH 12V 1.6A 4-DSBGA
Estado RoHS:	Compatible con RoHS

Atributo	Valor del atributo
Fabricante	NA
Categoría de producto	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie	NexFET™
Tipo FET	N-Channel
Empaquetado	Tape & Reel (TR)
Vgs (máx.)	±10V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET	-
Estado de la pieza	Active
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete / Caso	4-UFBGA, DSBGA
Vgs(th) (Max) - Id	1.3V @ 250µA
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs	17.1mOhm @ 1A, 4.5V
Disipación de energía (máx.)	1.8W (Ta)
Paquete de dispositivos de proveedores	4-DSBGA (1x1)
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs	7.8nC @ 4.5V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss)	12V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds	862pF @ 6V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC	1.6A (Ta)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On)	2.5V, 4.5V