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CSD13302WT

Fabricantes: NA
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Ficha técnica: CSD13302WT
Descripción: MOSFET N-CH 12V 1.6A 4-DSBGA
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante NA
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie NexFET™
Tipo FET N-Channel
Empaquetado Tape & Reel (TR)
Vgs (máx.) ±10V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET -
Estado de la pieza Active
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso 4-UFBGA, DSBGA
Vgs(th) (Max) - Id 1.3V @ 250µA
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 17.1mOhm @ 1A, 4.5V
Disipación de energía (máx.) 1.8W (Ta)
Paquete de dispositivos de proveedores 4-DSBGA (1x1)
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 7.8nC @ 4.5V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 12V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 862pF @ 6V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 1.6A (Ta)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V

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Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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