Image is for reference only , details as Specifications

PHKD13N03LT,118

Fabricantes: Nexperia USA Inc.
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Ficha técnica: PHKD13N03LT,118
Descripción: MOSFET 2N-CH 30V 10.4A 8SOIC
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante Nexperia USA Inc.
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Serie TrenchMOS™
Tipo FET 2 N-Channel (Dual)
Empaquetado Tape & Reel (TR)
Característica FET Logic Level Gate
Estado de la pieza Obsolete
Potencia - Máx. 3.57W
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Vgs(th) (Max) - Id 2V @ 250µA
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 20mOhm @ 8A, 10V
Paquete de dispositivos de proveedores 8-SO
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 10.7nC @ 5V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 752pF @ 15V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 10.4A

En stock 89 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.00 $0.00 $0.00
Mínimo: 1

Solicitar presupuesto

Rellene el siguiente formulario y nos ponemos en contacto con usted lo antes posible

Bargain Finds

IRLHS6376TR2PBF
Infineon Technologies
$0
AO8807
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
$0
SQJ941EP-T1-GE3
Vishay / Siliconix
$0
SQ9945AEY-T1-E3
Vishay / Siliconix
$0
SQ4946EY-T1-E3
Vishay / Siliconix
$0