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IRLHS6376TR2PBF

Fabricantes: Infineon Technologies
Categoría de producto: Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Ficha técnica: IRLHS6376TR2PBF
Descripción: MOSFET 2N-CH 30V 3.6A PQFN
Estado RoHS: Compatible con RoHS
Atributo Valor del atributo
Fabricante Infineon Technologies
Categoría de producto Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Serie HEXFET®
Tipo FET 2 N-Channel (Dual)
Empaquetado Digi-Reel®
Característica FET Logic Level Gate
Estado de la pieza Obsolete
Potencia - Máx. 1.5W
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caso 6-VDFN Exposed Pad
Número de pieza base IRLHS6376
Vgs(th) (Max) - Id 1.1V @ 10µA
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) - Id, Vgs 63mOhm @ 3.4A, 4.5V
Paquete de dispositivos de proveedores 6-PQFN (2x2)
Carga de la puerta (Qg) (máx.) - Vgs 2.8nC @ 4.5V
Drenaje a voltaje de origen (Vdss) 30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) - Vds 270pF @ 25V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) a 25oC 3.6A

En stock 99 pcs

Precio de Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Mínimo: 1

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